سامسونگ تراشه های 3 نانومتری را برای استخراج بیت کوین طراحی می کند
- طبق گزارش ها، سامسونگ در مرحله تولید آزمایشی برای پردازش ریخته گری 3 نانومتری است که می تواند برای استخراج بیت کوین استفاده شود.
- اولین مشتری PanSemi، سازنده چینی ASIC خواهد بود و کوالکام نیز ممکن است در آینده شرکت کند.
- پردازش ریخته گری 3 نانومتری می تواند تراشه ها را قادر به کاهش مصرف انرژی، افزایش سرعت و مقادیر بالاتر ترانزیستور کند.
طبق گزارش‌ها، سامسونگ این هفته تولید آزمایشی تراشه‌های سه نانومتری (3 نانومتری) را برای مدارهای مجتمع ویژه برنامه (ASIC) – کارآمدترین ماشین‌ها برای استخراج بیت کوین – آغاز خواهد کرد.
بر اساس این گزارش، اولین مشتری سامسونگ یک شرکت چینی ASIC معروف به PanSemi است که ASIC های مورد استفاده برای استخراج بیت کوین را طراحی می کند. به طور مشابه، Qualcomm – بزرگترین مشتری سامسونگ – همچنین رزروهایی را برای استفاده از فرآیند تولید جدید با منابعی که گزارش می‌دهند اعلام کرده‌اند که Qualcomm می‌تواند در هر مقطعی شرکت کند، رزرو کرده است، اما متعهد نیست.
پیش از این، کوالکام برای تراشه‌های 4 نانومتری سفارش داده بود، اما در فوریه گذشته به دلیل عدم تولید شگفت‌انگیز سامسونگ لغو شد. این باعث شد که کوالکام به یک شرکت دیگر – شرکت تولید نیمه هادی تایوان (TSMC) تکیه کند.
آخرین پیشنهاد سامسونگ با نام gate-all-around (GAA) نامیده می شود که همانطور که از نام آن پیداست دارای گیت هایی در هر چهار سطح خواهد بود. تا به حال، موفق ترین فرآیند تجاری FinFET است که به جای چهار سطح، تنها از سه سطح استفاده کرده است. طبق گزارشات، این ارتقا به دروازه‌ها اجازه می‌دهد باریک‌تر شوند و کنترل دقیق‌تری بر جریان‌ها امکان‌پذیر است. گزارش ها حاکی از آن است که در صورت موفقیت آمیز بودن تولید آزمایشی، این می تواند باعث کاهش 45 درصدی سطح و افزایش 30 درصدی کارایی شود.
علاوه بر این، Tech Monitor گزارش داد که فرآیند 3 نانومتری TSMC اندازه نیمه هادی را کوچک می کند که به نوبه خود تا 30 درصد کاهش مصرف برق، تا 15 درصد افزایش سرعت را ممکن می کند، در حالی که 33 درصد تراکم ترانزیستور بیشتر می شود. سخت افزار قوی تر
اگرچه این گزارش مربوط به سال گذشته بود، اما هنوز هم درک تأثیرات احتمالی این پیشرفت بر فناوری ارزشمند است.